优势品牌
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TFC圆形平面靶产品描述：IONIX® RIX®12采用直径300mm圆形平面靶，靶材厚度支持8–14mm。设备转速可达400 rpm，通过旋转调节膜厚分布。技术参数：磁控管直径400mm，高度300mm，重量80kg，采用316L、Al、PEEK、FKM等材料。最大DC功率25kW（对应约35 W/cm²），RF功率7kW（推荐2–5 W/cm²）。冷却水要求1 l/(min×kW)，最低流量5 l/min，进水温度不高于30°C。工作原理：通过磁场约束电子，增加气体分子碰撞几率，使靶材原子被溅射沉积到基片表面。
公司简介
TFC GmbH位于德国格拉芬贝格，专注于离子束与磁控溅射技术的开发与应用。公司在真空镀膜领域积累了多年经验，产品用于半导体、光学镀膜等工业制造环节。
主要产品
IONIX® RIX®12 磁控溅射源（300mm FFE）
IONIX® 系列圆形平面靶
Hidden Anode 隐藏式阳极附件
主要型号
RIX12-I2-9155-01（300mm靶）
RIX系列适配6–16mm厚度靶材
含气体分布功能的定制型号
产品介绍
IONIX® RIX®12采用直径300mm圆形平面靶，靶材厚度支持8–14mm。设备转速可达400 rpm，通过旋转调节膜厚分布。技术参数：磁控管直径400mm，高度300mm，重量80kg，采用316L、Al、PEEK、FKM等材料。最大DC功率25kW（对应约35 W/cm²），RF功率7kW（推荐2–5 W/cm²）。冷却水要求1 l/(min×kW)，最低流量5 l/min，进水温度不高于30°C。工作原理：通过磁场约束电子，增加气体分子碰撞几率，使靶材原子被溅射沉积到基片表面。
优势特点
靶面可实现全表面侵蚀（100% FFE），无再沉积区域，延长维护周期。
金属靶和反应溅射过程均可保持全表面侵蚀，工艺稳定性较好。
可选隐藏式阳极，适用于反应溅射，减少工艺干扰。
应用领域
300mm晶圆（8英寸）金属薄膜沉积
反应溅射制备氧化物、氮化物薄膜
半导体先进封装及MEMS制造
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