microchemicals光刻胶

一、公司简介

MicroChemicals GmbH于2001年在德国乌尔姆（Ulm）成立，创始人为Christian Koch博士和Titus Rinke博士。2002年，公司引入标准化质量管理体系并通过了ISO 9001认证。公司位于乌尔姆多瑙塔尔（Ulm Donautal）的新建园区总面积约1500平方米，其中办公室和实验室约500平方米，仓库约1000平方米。

MicroChemicals GmbH是Merck Performance Materials GmbH（默克集团）在德国境内的官方分销合作伙伴，提供原装AZ系列光刻胶及配套化学品。2006年起，公司产品线扩展至VLSI和ULSI纯度的溶剂、酸、碱及蚀刻混合液，2010年增加硅、玻璃和石英晶圆业务，2012年拓展至电镀用电解液和阳极材料，2018年起自产ULSI纯度丙酮和异丙醇。

质量管理体系：自2001年12月以来，公司持续通过ISO 9001认证，覆盖光学化学品及微结构工艺用化学品的生产、贸易和分销活动。

二、主要产品

microchemicals光刻胶产品主要面向微电子、微光学和微机械领域的微结构加工工艺。

microchemicals正性光刻胶：在曝光区域溶解于显影液中，用于形成与掩模版一致的图形。常用型号包括AZ 50XT、AZ 9260、AZ 4620等。

microchemicals负性光刻胶：在曝光区域发生交联而不溶解于显影液，适用于需要倒梯形侧壁的金属剥离工艺。SU-8系列是其中的代表产品。

可切换光刻胶：可通过工艺参数切换为正性或负性模式，如AZ 5209E、AZ 5214E，适用于lift-off工艺。

microchemicals显影液：包括含金属离子型（KOH基、NaOH基）和无金属离子型（TMAH基）。

microchemicals增粘剂：用于提高光刻胶对基底（硅、玻璃、金属等）的附着力。

除胶液/去胶液：用于去除曝光和显影后的残留光刻胶膜。

蚀刻混合液：预混配制的蚀刻溶液，适用于硅、金、铝、铬等多种材料的蚀刻工艺。

microchemicals溶剂：VLSI和ULSI纯度等级的丙酮、异丙醇、DMSO、MEK等。

microchemicals减反涂层：位于光刻胶下方或上方，用于减少曝光过程中的驻波效应和反射。

microchemicals硅晶圆与玻璃晶圆：作为微结构加工的基础衬底材料。

周边配套产品：电镀用电解液和阳极材料、酸、碱、VLSI/ULSI纯度化学品等。

三、主要型号

microchemicals光刻胶正性光刻胶型号

型号  主要特点 适用膜厚

AZ® 50XT 正性光刻胶，适用于厚膜图形加工  40-80 μm

AZ® 9260 正性光刻胶，膜厚范围较宽  6.2-15 μm

AZ® 4620 正性光刻胶  10-15 μm

AZ® 1512 正性光刻胶  1.2 μm

AZ® 327 正性光刻胶，分辨率较好  视工艺而定

负性光刻胶型号

型号  主要特点 适用膜厚

SU-8 2000系列 环氧负性光刻胶，高深宽比，可单次旋涂获得厚膜 0.5 -> 200μm

SU-8 3000系列 SU-8 2000升级配方，附着力增强  4-120 μm（单涂层）

AZ® nLOF 2070 i-line敏感负性光刻胶，适用于lift-off工艺  5-15 μm

KMPR系列 与SU-8类似的负性环氧光刻胶，交联密度较低 视工艺而定

可切换（Image Reversal）光刻胶型号

型号  主要特点 适用膜厚

TI 35ESX 图像反转剥离光刻胶，适用于沉积层金属剥离 2.5-3.5 μm

AZ® 5209E  高分辨率图像反转光刻胶，正/负模式均可 0.7-1.2 μm

AZ® 5214E  图像反转光刻胶，适用于lift-off工艺   0.5-6 μm

电子束光刻胶型号

型号  主要特点

PMMA 950系列  正性电子束光刻胶，耐干法刻蚀性能较好

AZ® nLOF 2070 e-beam  负性电子束胶，工业标准用于lift-off工艺

配套产品型号

显影液：AZ® 726 MIF、AZ® 2026 MIF、AZ® 326 MIF（TMAH基，无金属离子型）；AZ® 351B、AZ® 400K（含金属离子型）。

除胶液：AZ® 100 Remover、AZ® 910 Remover、TechniStrip P1316、TechniStrip NI555。

稀释和边缘去胶溶剂：AZ® EBR Solvent、PGMEA。

四、产品介绍

microchemicals光刻胶是对光敏感的混合液体，其组成包括光引发剂（光增感剂或光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和助剂等。

工作原理

光刻工艺中，光刻胶通过旋涂方式均匀覆盖在基底表面。经紫外光（如汞灯i线365nm、h线405nm或g线435nm）或电子束选择性曝光后，光刻胶中的光活性成分发生化学反应：正性光刻胶曝光区域的树脂发生链断裂，在显影液中溶解；负性光刻胶曝光区域发生交联反应，不再溶于显影液。未曝光区域则留在基底表面，形成特定的微米级或纳米级图形，用于后续刻蚀或沉积工艺。

主要产品系列技术参数

SU-8系列（环氧负性光刻胶）：

近紫外波段（约350-400nm）曝光敏感度较好，推荐i线（365nm）光源

适合i线、X射线和电子束曝光

SU-8 2000系列：12种标准粘度规格可选，单次旋涂可获得0.5μm至200μm以上膜厚

SU-8 3000系列：单涂层膜厚4-120μm，可形成纵横比超过5:1的结构

SU-8 3000在360nm以上具有较高的光透射率

固化膜对溶剂、酸、碱有较好的耐受性

AZ® nLOF 2070（i-line敏感负性光刻胶）：

i-line敏感（365 nm），对g线和h线不敏感

膜厚约7.0 μm @ 3000 rpm

交联后图形在250℃以上温度无明显圆角化

AZ® 5209E（图像反转光刻胶）：

h线和i线敏感（约320-405 nm）

反转烘烤后图形热稳定性约130℃

在正性模式和负性模式下均保持较高分辨率

TI 35ESX（图像反转剥离光刻胶）：

g线、h线和i线敏感（约320-440 nm）

可剥离沉积层厚度最高4μm

纵横比范围1.0-2.0

五、优势特点

microchemicals光刻胶膜厚覆盖范围较宽：SU-8系列可单次旋涂获得从亚微米到200微米以上的膜厚，免去多次涂布的需求，有助于简化工艺流程。

高深宽比结构能力：SU-8系列可形成纵横比超过5:1的微结构，适用于MEMS和微流控等领域对深宽比有一定要求的应用场景。

多种曝光光源兼容：SU-8系列兼容近紫外（350-400nm）、i线（365nm）、X射线和电子束等多种曝光源；AZ® nLOF系列可同时兼容紫外和电子束曝光，便于在同一设备上切换两种工艺。

产品配套完整：从光刻胶、显影液、除胶液到蚀刻混合液和晶圆衬底均有供应，全套化学品可一站式获取，有助于减少不同供应商之间的匹配问题。

适用多种基底材料：产品适用于硅、玻璃、石英、砷化镓、ITO等多种导电和非导电基底，在MEMS制造、微电子封装和光学器件加工领域具备较好的通用性。

六、应用领域

microchemicals光刻胶MEMS（微机电系统） ：SU-8系列光刻胶在MEMS领域中用于制造微机械臂、微型传感器、微电机阵列等微机械部件，可作为结构层材料使用。

微流控芯片：SU-8胶常用作PDMS微流控芯片的模具材料，通过光刻形成微通道图形，用于生物医学分析器件。

集成电路制造：AZ系列光刻胶用于半导体器件的光刻工艺，可满足图形分辨率、膜厚均匀性和抗刻蚀性能等要求。PMMA系列电子束胶用于需高分辨率的IC制造环节。

MEMS金属剥离工艺：AZ® 5209E、AZ 5214E、TI 35ESX等可切换光刻胶适用于lift-off工艺，可获得负性侧壁轮廓，以形成微型金属电极和无线芯片结构。

光学器件制造：SU-8光刻胶具有较好的光学透明性，在紫外至可见光波段可用作光波导、微透镜、光学阵列等光学器件的加工材料。