优势品牌
热搜关键词:皮拉尼真空计,jumo传感器,进口终端
波兰Itme
产品描述:波兰Itme功能晶体材料CZ 系列提拉法氧化物单晶 采用感应加热提拉工艺制备,腔体真空度可达 3×10⁻⁶bar,生长温度最高 2000℃,可产出直径 0.5mm 至 200mm 单晶锭,可按需求切割 Z 向、X 向、Y 向不同晶向晶片,表面抛光精度可达 1/10λ。工作原理为高温熔融原料后,通过籽晶匀速向上提拉,配合腔体转速控制晶格均匀成型,内部杂质分布可控,多用于可见光、近红外光路传输部件。
- 询报价负责人:客服2号
- 手机:18842851279
- 座机:0411-87187730
- 邮箱:sales@heilna.com

- 产品详情
一、制造商简介
本次介绍产品产自波兰电子材料技术研究所(简称 ITME)功能材料部,部门驻地位于波兰华沙,长期聚焦光电新型晶体材料的基础研究与工业化制备工艺开发,核心研究对象覆盖激光晶体、光子晶体、超材料、共晶复合晶体等品类。部门自主搭建多套单晶生长实验与量产设备,掌握提拉法、微下拉法、物理气相传输、布里奇曼法四类主流晶体制备工艺,同时配套完整材料检测、机械加工与抛光产线,可根据客户定制参数完成单晶毛坯、晶片元件的全流程加工。
该部门持续参与多国联合科研项目,包括波兰 - 瑞士光伏材料合作项目、欧盟第七框架光电材料项目、美国空军科研局超材料合作课题等,积累多类晶体稳定制备工艺,可承接不同尺寸、晶体取向、材质单晶元件的定制生产,对外输出标准化与非标定制单晶制品,对接科研实验室、半导体工厂、光电设备厂商等客户群体。部门对接负责人为 Dorota Anna Pawlak 教授,具备多年定向结晶工艺研发经验,团队同步开发有机晶体定向结晶、卤素灯加热制备共晶薄层两类新型制备工艺,持续拓展晶体材料品类边界。
二、Itme功能晶体材料主要产品
Itme氧化物单晶元件
ItmeⅢ-Ⅴ 族(A3B5)半导体单晶
Itme4H/6H 型 SiC 碳化硅半导体单晶
Itme氟化物光学单晶
Itme等离子体共晶复合晶体
Itme激光晶体毛坯与抛光晶片
Itme光子晶体基底材料
Itme人工超材料单晶构件
三、Itme功能晶体材料主要型号
Ø CZ 系列提拉法氧化物单晶(YAG、铌酸锂基底)
Ø μ-PD 微下拉小型异形单晶(Bi₂O₃-Ag 共晶标准样件)
Ø PVT-4H 碳化硅导电单晶衬底
Ø PVT-6H 半绝缘碳化硅抛光晶片
Ø BR 布里奇曼氟化物红外单晶块料
Ø III-V-GaAs 砷化镓单晶衬底
Ø EU 系列定向凝固共晶复合晶体
Ø LAS 系列激光晶体抛光光学片
四、Itme功能晶体材料产品介绍
Ø CZ 系列提拉法氧化物单晶 采用感应加热提拉工艺制备,腔体真空度可达 3×10⁻⁶bar,生长温度最高 2000℃,可产出直径 0.5mm 至 200mm 单晶锭,可按需求切割 Z 向、X 向、Y 向不同晶向晶片,表面抛光精度可达 1/10λ。工作原理为高温熔融原料后,通过籽晶匀速向上提拉,配合腔体转速控制晶格均匀成型,内部杂质分布可控,多用于可见光、近红外光路传输部件。
Ø PVT-4H/6H 碳化硅单晶 依托物理气相传输工艺生长,4H 型具备稳定导电特性,6H 型偏向半绝缘使用场景,晶片厚度可在 50μm 至 40mm 区间调整,位错密度控制区间稳定。依靠高温下硅碳原料气相沉积、定向结晶成型,热传导性能稳定,适配高频半导体器件基底。
Ø EU 系列共晶复合晶体 包含 Bi₂O₃-Ag 金属氧化物共晶体系,采用卤素灯定向加热结晶工艺,两种物相均匀交织形成等离子体微结构。标准样品长宽尺寸 10×10×2mm,可完成表面精密抛光,依靠共晶两相界面等离子共振效应实现特殊光电响应。
Ø BR 系列氟化物单晶 布里奇曼法密闭坩埚缓冷结晶,透光波段覆盖紫外至中红外区间,热膨胀系数偏低,温度波动下光学形变较小,常制成块状毛坯或圆形光学窗口片。
Ø 全部产品出厂前均依托实验室检测设备完成晶格、光学、电学性能测试,可提供对应检测数据报告;机械加工环节包含切割、研磨、多道抛光工序,降低表面细微划痕对光学性能的干扰。

五、Itme功能晶体材料优势特点
Ø 多工艺兼容定制能力 同时掌握四类主流单晶生长技术,可根据客户材料属性、尺寸需求匹配对应制备路线,小型异形单晶、大尺寸基底、复合共晶材料均可承接生产,不用局限单一材质或规格。
Ø 完整配套加工与检测能力 内部配备材料物性测量仪器、精密机械加工设备与抛光产线,单晶生长、切割研磨、表面抛光、性能检测全流程内部完成,无需外部外协加工,减少中间转运带来的尺寸偏差。
Ø 多元材质覆盖范围 产品同时包含氧化物、半导体、氟化物、复合共晶四大材质体系,兼顾光学、半导体、新能源多赛道使用需求,客户可一站式采购不同品类晶体元件。
Ø 成熟定制调整空间 晶体取向、直径厚度、表面精度、掺杂浓度均可按需调整,可配合科研项目制备小批量实验样品,也可稳定供应标准化量产晶片,适配实验室与工业产线两类客户。
六、Itme功能晶体材料应用领域
Ø 光电子激光设备:各类激光发射、光路调控、激光测距设备内部光学晶体元件,依靠氧化物、氟化物单晶实现光束传导与调制。
Ø 宽禁带半导体器件:4H、6H 型 SiC 衬底用于功率半导体、射频芯片、新能源车载功率器件制造。
Ø 太阳能光电转换:Ⅲ-Ⅴ 族半导体单晶、混合共晶材料用于高效光伏电池、薄膜太阳能基底研发与生产。
Ø 等离子体与超材料科研:Bi₂O₃-Ag 共晶、人工超材料构件用于高校、科研院所光电特性实验、电磁响应机理研究。
Ø 红外探测传感:氟化物单晶制成红外窗口、探测基底,适配环境监测、工业高温红外检测设备。























































