法国novasafers硅片

novasafers硅片介绍：

NOVA 自 1989 年开始从事硅锭、晶圆以及洁净室相关用品的供应工作，面向半导体行业提供各类晶圆材料与配套加工服务，业务面向全球各地客户。企业可以实现多品类半导体材料集中供货，合作对象包含高校科研机构以及各类型工业客户。企业内部运营覆盖订单处理、生产加工、出货交付等环节，在日常经营中关注产品品质、客户响应速度以及订单交付的准确性，可按照客户实际需求处理定制化的采购需求，没有设置采购金额门槛。

novasafers硅片主要产品

直拉法（CZ）硅晶圆

浮区法（FZ）硅晶圆

外延硅片

SOI 绝缘体上硅晶圆

砷化镓 GaAs 晶圆

磷化镓 GaP 晶圆

锗 Ge 晶圆

蓝宝石衬底晶圆

novasafers硅片主要型号

CZ P 型硼掺杂硅片

CZ N 型砷掺杂硅片

FZ 高阻监控硅片

薄型薄膜 SOI 硅片（器件层＜1.5μm）

厚膜 SOI 硅片（器件层＞1.5μm）

GaAs 本征 / 掺杂衬底

GaP 半导体衬底

太阳能级测试硅片

novasafers硅片产品介绍

普通单晶硅片

硅是应用较多的半导体材料，原子序数 14，禁带宽度 1.12eV，属于间接带隙，晶体为金刚石结构，晶格常数 0.543nm，密度 2.33g/cm³，300K 条件下电子迁移率 1450cm²/Vs，空穴迁移率 500cm²/Vs，熔点 1414℃。硅片分为 P 型与 N 型，P 型统一采用硼作为掺杂元素；N 型会依据目标电阻率选用不同掺杂剂，0.0010.005Ω・cm 使用砷，0.0050.025Ω・cm 使用锑，电阻率大于 0.1Ω・cm 选用磷。硅片边缘会设置主定位边与副定位边，用来适配自动化设备，区分晶体晶向与掺杂类型。硅片可采用直拉 CZ 或者浮区 FZ 工艺制备，覆盖试样、监控、太阳能等不同等级，尺寸范围从 1 英寸到 450mm，单晶硅片最大可加工至 300mm 直径。硅片解离会跟随晶向变化，<100> 晶向解离得到矩形样片，<111 > 晶向解离得到三角形样片。

SOI 绝缘体上硅晶圆

SOI 晶圆只使用表层薄薄一层单晶硅制作元器件，下层硅基体起到机械支撑作用。通过埋入氧化层把表层硅和基底做电学隔离，后续可以沿用普通硅片的整套工艺制作集成电路。埋氧层可以减少电路的电能损耗，帮助器件获得更高运行速度。产品分为薄膜 SOI 与厚膜 SOI 两类，薄膜 SOI 器件层厚度小于 1.5μm，厚膜 SOI 器件层厚度大于 1.5μm。制备方式包含晶圆键合、SIMOX 氧离子注入、Smart Cut 氢离子剥离三种工艺。晶圆键合是将两片带氧化层的硅片高温贴合，之后减薄抛光上层硅；SIMOX 向硅基体注入氧离子形成埋氧化层，退火加固键合；Smart Cut 注入氢离子形成应力层，低温裂解剥离出薄层硅，剩余基体可以重复再利用。

IIIV 族化合物晶圆

以 GaAs 砷化镓为例，它属于直接带隙半导体，禁带宽度 1.43eV，晶格常数 5.65 埃，300K 电子迁移率 8500cm²/Vs，热导率 0.46W/cm・℃，600℃以上容易出现砷元素挥发，本身不易生成高质量原生氧化层，材料脆性偏大，适合发光器件与高速电子器件。GaP 磷化镓为闪锌矿晶体结构，禁带宽度 2.26eV，电子迁移率 250cm²/Vs，可用于光电器件相关试验。

novasafers硅片优势特点

第一，产品规格覆盖范围广。晶圆直径支持 1 英寸至 450mm 区间，同时有直拉、浮区、外延、SOI、多种化合物衬底可选，客户可在同一供应商处完成多种物料采购。 第二，可接受定制订单，不设置采购金额，高校科研小批量试样订单也可以承接，适配研发阶段小用量的使用场景。 第三，订单响应与交付节奏可控，生产环节留意细节，减少错单情况，保障订单按计划出货。 第四，材料品类丰富，除硅基晶圆外，同步供应 GaAs、GaP、锗、蓝宝石等特种衬底，减少客户多方寻源的工作量。 第五，掺杂、晶向、定位边等参数可以匹配客户设备要求，满足实验监控、小批量试制的多样条件。

novasafers硅片应用领域

半导体科学实验与高校科研：各类材料表征、SEM 电镜试样、器件工艺摸索、半导体基础教学实验，测试监控片用来跟踪半导体工艺步骤变化。

MEMS 微机电系统：依托硅良好的机械性能，加工各类微型传感器、微型执行器件。

光电子器件研发：利用 GaAs、GaP 等 IIIV 族材料，开展发光器件、光探测器件的试样制作。

集成电路工艺开发：SOI 晶圆用于高速、低功耗电路的前期试验与小批量试产。

光伏相关研究：太阳能等级硅片用于光伏电池材料、工艺方向的试验评估。